賽晶參加CPEEC & CPSSC 2024并發(fā)表主題報(bào)告！

11月9日，2024中國(guó)電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會(huì)暨中國(guó)電源學(xué)會(huì)第二十七屆學(xué)術(shù)年會(huì)及展覽會(huì)（CPEEC & CPSSC 2024）在西安舉辦。中國(guó)電源學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)年會(huì)暨展覽會(huì)是中國(guó)電源界規(guī)模最大、級(jí)別最高的學(xué)術(shù)、技術(shù)和產(chǎn)業(yè)盛會(huì)，已有超過(guò)40年歷史。會(huì)議旨在促進(jìn)電力電子、能量轉(zhuǎn)換與電源技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域海內(nèi)外學(xué)者和相關(guān)人員的學(xué)術(shù)交流， 促進(jìn)產(chǎn)、學(xué)、研的合作，促進(jìn)相關(guān)產(chǎn)業(yè)及產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)創(chuàng)新和進(jìn)步。

作為新能源產(chǎn)業(yè)鏈核心器件和創(chuàng)新技術(shù)型企業(yè)，賽晶科技攜自主研發(fā)IGBT、SiC芯片及模塊，以及層疊母排、集成母排產(chǎn)品亮相并發(fā)表主題報(bào)告。

本次大會(huì)上，賽晶半導(dǎo)體技術(shù)支持兼市場(chǎng)總監(jiān)馬先奎就《高可靠性SiC芯片及其在車(chē)規(guī)級(jí)緊湊封裝功率模塊中的應(yīng)用》為主題發(fā)表演講，與會(huì)者反響熱烈。

賽晶科技SiC MOSFET芯片

賽晶科技SiC MOSFET芯片，采用多項(xiàng)行業(yè)領(lǐng)先的特色設(shè)計(jì)和工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高可靠性和良好的溫度特性。

不僅如此，源于出色的設(shè)計(jì)和工藝，賽晶SiC MOSFET芯片在高溫工作條件下，展現(xiàn)出了極佳的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性，并且達(dá)到了行業(yè)一流水平的1200V/13mΩ。

此外，采用此SiC MOSFET芯片，賽晶科技還推出了多規(guī)格、型號(hào)的車(chē)規(guī)級(jí)、高性能HEEV封裝、EVD封裝SiC模塊。

HEEV封裝SiC模塊具有低雜感、體積小等特點(diǎn)，能夠?qū)iC芯片的性能得到更充分的發(fā)揮，助力客戶(hù)實(shí)現(xiàn)高達(dá)250kW最緊湊電驅(qū)的實(shí)現(xiàn)。

EVD封裝SiC模塊的產(chǎn)品可以讓客戶(hù)能夠最大可能的借鑒既有Si產(chǎn)品的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，同時(shí)可以有靈活的商務(wù)供應(yīng)。

同期展會(huì)上，賽晶展出的i20 IGBT芯片、ED封裝IGBT模塊、ST封裝IGBT模塊、BEVD封裝IGBT模塊、EP封裝IGBT模塊、HEEV封裝SiC模塊、EVD封裝SiC模塊，以及層疊母排、集成母排產(chǎn)品。受到了與會(huì)技術(shù)專(zhuān)家和客戶(hù)的高度關(guān)注，吸引眾多與會(huì)者、現(xiàn)場(chǎng)嘉賓的熱烈關(guān)注和深入交流。體現(xiàn)了賽晶在電源技術(shù)領(lǐng)域的強(qiáng)大技術(shù)實(shí)力，憑借國(guó)際一流的技術(shù)水平和卓越的性能表現(xiàn)，贏得國(guó)內(nèi)外業(yè)內(nèi)專(zhuān)家和客戶(hù)的一致認(rèn)可和高度贊譽(yù)。